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KRI考夫曼射频离子源 RFICP220 溅射沉积钛金属薄膜

发布者:伯东企业(上海)有限公司  时间:2023-6-19 113.90.157.*

钛金属具有许多优异的性能, 例如低密度/ 高熔点/ 耐腐蚀/ 无磁性和硅基衬底结合力好/ 具有形状记忆和吸氢特性等, 因此对于磁控溅射沉积钛薄膜的研究有很多.


上海某大学研究室在多层钛膜做微观结构的研究中采用 kri 考夫曼射频离子源 rfcip220 溅射沉积钛薄膜做加热电路提高器件温度,从而提高光波导器件中硅材料的折射率.



伯东 kri 射频离子源 rficp220 技术参数:

portant;"> 离子源型号

portant;"> rficp220

portant;"> discharge

portant;"> rficp 射频

portant;"> 离子束流

portant;"> >800 ma

portant;"> 离子动能

portant;"> 100-1200 v

portant;"> 栅极直径

portant;"> 20 cm φ

portant;"> 离子束

portant;"> ---, 平行, 散射

portant;"> 流量

portant;"> 10-40 sccm

portant;"> 通气

portant;"> ar, kr, xe, o2, n2, h2, 其他

portant;"> 典型压力

portant;"> < 0.5m torr

portant;"> 长度

portant;"> 30 cm

portant;"> 直径

portant;"> 41 cm

portant;"> 中和器

portant;"> lfn 2000

* 可选: 灯丝中和器; 可变长度的增量

kri 射频离子源 rficp 220



kri 离子源的-功能实现了---的性能, 增强的---性和新颖的材料工艺. kri 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 kri 离子源技术的情况下是无法实现的.



因此, 该研究项目才采用 kri 考夫曼射频离子源 rfcip220 辅助溅射沉积工艺.



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