考夫曼射频离子源RFICP380 镀制红外器件 ZNS 薄膜

某半导体厂商为了提高红外器件 zns 薄膜厚度均匀性, 采用 kri 考夫曼射频离子源 rficp380 辅助磁控溅射沉积设备镀制红外器件 zns 薄膜, 并采用动态沉积的方法--样品台离心旋转的方式, 补偿或---圆形磁控靶在正对的基片上沿径向的溅射沉积不均匀分布.


kri 射频离子源 rficp380 技术参数:

portant;"> 射频离子源型号

portant;"> rficp380

portant;"> discharge 阳极

portant;"> 射频 rficp

portant;"> 离子束流

portant;"> >1500 ma

portant;"> 离子动能

portant;"> 100-1200 v

portant;"> 栅极直径

portant;"> 30 cm φ

portant;"> 离子束

portant;"> ---, 平行, 散射

portant;"> 流量

portant;"> 15-50 sccm

portant;"> 通气

portant;"> ar, kr, xe, o2, n2, h2, 其他

portant;"> 典型压力

portant;"> < 0.5m torr

portant;"> 长度

portant;"> 39 cm

portant;"> 直径

portant;"> 59 cm

portant;"> 中和器

portant;"> lfn 2000





红外器件金属膜需要高均匀性的原因:

红外器件几乎都要进行表面钝化和镀制金属膜, 在红外焦平面和读出电路的互连工艺中, 金属膜的厚度均匀性对于互连工艺的---性起着---的作用, 而在背照式红外探测器的光接收面, 往往都要涂镀一层或数层介质膜, 以起到对器件进行保护和对红外辐射减反射的作用, 介质膜的厚度均匀性同样会影响探测器的滤光和接收带宽



kri 离子源的-功能实现了---的性能, 增强的---性和新颖的材料工艺. kri 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 kri 离子源技术的情况下是无法实现的.



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