NR21 20000P光刻胶价格服务「多图」

光刻胶的参数

赛米莱德生产、销售光刻胶，我们为您分析该产品的以下信息。

分辨率

分辨率英文名：resolution。区别硅片表---邻图形特征的能力,一般用关键尺寸cd，critical dimension来衡量分辨率。形成的关键尺寸越小，光刻胶的分辨率越好。

对比度

对比度contrast指光刻胶从---区到非---区过渡的陡度。对比度越好，形成图形的侧壁越陡峭，分辨率越好。

敏感度

敏感度sensitivity光刻胶上产生一个---的图形所需一定波长光的能量值或---量。单位：毫焦/平方厘米或mj/cm2。光刻胶的敏感性对于波长更短的深紫外光duv、极深紫外光euv等尤为重要。

粘滞性黏度

粘滞性/黏度viscosity是衡量光刻胶流动特性的参数。粘滞性随着光刻胶中的溶剂的减少而增加；高的粘滞性会产生厚的光刻胶；越小的粘滞性，就有越均匀的光刻胶厚度。光刻胶的比重sg，specific gravity是衡量光刻胶的密度的指标。它与光刻胶中的固体含量有关。较大的比重意味着光刻胶中含有更多的固体，粘滞性更高、流动性更差。粘度的单位：泊poise，光刻胶一般用厘泊cps，厘泊为1%泊来度量。百分泊即厘泊为粘滞率；运动粘滞率定义为：运动粘滞率=粘滞率/比重。 单位：百分斯托克斯cs=cps/sg。

粘附性

粘附性adherence表征光刻胶粘着于衬底的强度。光刻胶的粘附性不足会导致硅片表面的图形变形。光刻胶的粘附性必须经受住后续工艺刻蚀、离子注入等。

抗蚀性

抗蚀性anti-etching光刻胶必须保持它的粘附性，在后续的刻蚀工序中保护衬底表面。耐热稳定性、抗刻蚀能力和抗离子轰击能力。

表面张力

液体---表面分子拉向液体主体内的分子间吸引力。光刻胶应该具有比较小的表面张力surface tension，使光刻胶具有---的流动性和覆盖。

光刻胶

在---过程中，正性胶通过感光化学反应，切断树脂聚合体主链和从链之间的联系，达到削弱聚合体的目的，所以---后的光刻胶在随后显影处理中溶解度升高。---后的光刻胶溶解速度几乎是未---的光刻胶溶解速度的10倍。而负性胶，在感光反应过程中主链的随机十字链接更为紧密，并且从链下坠物增长，所以聚合体的溶解度降低。见正性胶在---区间显影，负性胶则相反。负性胶由于---区间得到保留，漫射形成的轮廓使显---的图像为上宽下窄的图像，而正性胶相反，为下宽上窄的图像。

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光刻胶：半导体技术壁垒的材料之一

光刻是整个集成电路制造过程中耗时长、难度大的工艺，耗时占ic制造50%左右，成本约占ic生产成本的1/3。光刻胶是光刻过程重要的耗材，光刻胶的对光刻工艺有着重要影响。

赛米莱德——生产、销售光刻胶，我们公司坚持用户为---，想用户之所想，急用户之所急，以诚为本，讲求信誉，以产品求发展，以求生存，我们热诚地欢迎各位同仁合作共创。