感应耦合等离子体刻蚀法inductively coupled plasma etch，化学气相沉积设备价格，简称icpe是化学过程和物理过程共同作用的结果。它的基本原理是在真空低气压下，icp 射频电源产生的射频输出到环形耦合线圈，以一定比例的混合刻蚀气体经耦合辉光放电，产生高密度的等离子体，在下电极的rf 射频作用下，这些等离子体对基片表面进行轰击，基片图形区域的半导体材料的化学键被打断，与刻蚀气体生成挥发性物质，以气体形式脱离基片，从真空管路被抽走。
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化学气相沉积的方法很多，如常压化学气相沉积(atmospheric pressure cvd，apcvd)、低压化学气相沉积(low pressure cvd，lpcvd)、真空化学气相沉积(ultrahigh vacuum cvd，uhvcvd)、激光化学气相沉积(laser cvd，lcvd)、金属有机物化学气相沉积(metal-organic cvd，mocvd)，等离子体增强化学气相沉积plasma enhanced cvd，pecvd等。
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随着主流半导体工艺技术由0.18 μm 逐渐转移到0.13 μm工艺，以及较新的90 nm 工艺成功研发及投入使用。半导体器件的特征尺寸进一步减小，栅氧层的厚度越来越薄。90 nm工艺中，栅氧层的厚度仅为1.2 nm。如果等离子体刻蚀工艺控制不好，化学气相沉积设备， 则非常容易出现栅氧层的损伤；同时， 所使用的晶片尺寸增至300mm， 暴露在等离子体轰击下的被刻蚀面积不断缩小，所检测到的终点信号的强度下降，信号的信噪比降低。所有这些因素都对终点检测技术本身及其测量结果的---性提出了严格的要求。在0.18 μm工艺时，化学气相沉积设备报价，使用单一的oes检测手段就可满足工艺需求;进入0.13 μm 工艺后，就必须结合使用oes 及iep 两种检测手段。由于iep技术可以在刻蚀终点到达之前进行预报，因而被称为预报式终点检测技术。
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