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脉冲激光沉积系统配置:
生长室,进样室可选水平、垂直两种靶台可选激光加热和辐射加热两种样品台可选,激光脉冲沉积装置公司,激光加热高的温度1200℃工艺气路可以任意搭配配备高压rheed,工作气压可达100pa可预留法兰,用于leed,k-cell, e-beam等其它可选项如臭氧发生器,离子源,掩膜系统等。
沈阳鹏程真空技术有限责任公司生产、销售脉冲激光沉积,我们为您分析该产品的以下信息。
1.靶: 数量6个,大小1-2英寸,被激光照射时可自动旋转,靶的选择可通过步进电机控制;
2.基板:采用适合于氧气环境铂金加热片,大小2英寸,加热温度可达1200摄氏度,温度差<3%,加热时基板可旋转,工作环境的压力可达300mtorr;
3.基板加热电源,高到1200度;
4.真空成膜室腔体:不锈钢sus304材质,内表面电解抛光,本底真空度<5e-8 pa;
5.样品搬运室:不锈钢sus304材质,内表面电解抛光,本底真空度<5e-5 pa;
6.排气系统:分子泵和干式机械泵;
7.阀门: 采用真空挡板阀;
8.真空检测:真空计;
9.气路两套: 采用气体流量计控制;
10.薄膜生长监控系统: 采用扫描型差分rheed;
11.监控系统:基板温度的监控和设定,基板和靶的旋转,靶的更换等;
12.各种电流导入及测温端子;
13.其它各种构造:各种真空位移台,磁力传输杆,真空法兰,真空密封垫圈,真空用波纹管等;
以下是沈阳鹏程真空技术有限责任公司为您一起分享的内容,沈阳鹏程真空技术有限责任公司生产脉冲激光沉积,欢迎新老客户莅临。
---真空度:≤6.7×10 pa
恢复真空时间:从1×10 pa抽至5×10 pa≤20min
系统漏率:6. 7×10-7pa.l/s;
真空室:ф450球型真空室 ,
基片尺寸:可放置4″可实现公转换靶位描等基片加热可连续回转,转速5-60转/分基片与蒸发源之间距离300-350mm可调。
二维扫描机械平台,执行两自由度扫描,激光脉冲沉积装置多少钱,控制的内容主要有公转换靶、靶自转、样品自转、样品控温、激光束扫,
流量控制器1路
烘烤温度:150℃数显自动热偶控温高温炉盘,数显自动热偶控温可加热到800℃
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