HAKUTO 离子蚀刻机 10IBE 用于铁电薄膜研究

hakuto 离子蚀刻机 10ibe 运用于铁电薄膜研究


某研究所在 pzt 铁电薄膜的电学性能研究中运用伯东 hakuto 离子蚀刻机 10ibe.




hakuto 离子蚀刻机 10ibe 技术参数:

portant;"> 基板尺寸

portant;"> < ф8 x 1wfr

portant;"> 样品台

portant;"> 直接冷却水冷0-90 度旋转

portant;"> 离子源

portant;"> 16cm 考夫曼离子源

portant;"> 均匀性

portant;"> ±5% for 4”ф

portant;"> 硅片刻蚀率

portant;"> 20 nm/min

portant;"> 温度

portant;"> <100



hakuto 离子刻蚀机 10ibe 离子源是配伯东公司代理考夫曼博士创立的 kri考夫曼公司的考夫曼离子源 kdc 160












研究表面采用伯东 hakuto 离子刻蚀机 10ibe 刻蚀工艺后, pzt薄膜的铁电性能几乎能恢复到蚀刻前, 如矫顽场值、漏电流、疲劳性能等, 铁电性能会得到---的.有利于提高贴点存储密度, 降低生产成本.



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