HAKUTO离子蚀刻机 20IBE-C用于蚀刻 KDP 晶体

某厂商研发部门采用伯东 hakuto 离子蚀刻机 20ibe-c 用于蚀刻 kdp 晶体进行抛光加工, 用以消除单点金刚石车削spdt后 kdp 晶体表面留下的周期性小尺度波纹.


hakuto 离子蚀刻机 20ibe-c 技术参数如下:

portant;"> 离子蚀刻机

ф4 inch x 6片

portant;"> 基板尺寸

portant;"> < ф3 inch x 8片
< ф4 inch x 6片
< ф8 inch x 1片

portant;"> 样品台

portant;"> 样品台可选直接冷却 / 间接冷却, 0-90度旋转

portant;"> 离子源

portant;"> 20cm 考夫曼离子源

portant;"> 均匀性

portant;"> ±5% for 8”ф

portant;"> 硅片蚀刻率

portant;"> 20 nm/min

portant;"> 温度

portant;"> <100



hakuto 离子蚀刻机 20ibe-c 产品图如上图, 其主要构件包括 pfeiffer 分子泵, kri 考夫曼离子源, 触摸屏控制面板, 真空腔体, 样品台. 如下图：





hakuto 离子蚀刻机 20ibe-c 的-构件离子源采用的是伯东公司代理考夫曼博士创立的 kri考夫曼公司的射频离子源 rficp220.



伯东 kri 射频离子源 rficp220 技术参数:

portant;"> 离子源型号

portant;"> rficp 220

portant;"> discharge

portant;"> rficp 射频

portant;"> 离子束流

portant;"> >800 ma

portant;"> 离子动能

portant;"> 100-1200 v

portant;"> 栅极直径

portant;"> 20 cm φ

portant;"> 离子束

portant;"> -

portant;"> 流量

portant;"> 10-40 sccm

portant;"> 通气

portant;"> ar, kr, xe, o2, n2, h2, 其他

portant;"> 典型压力

portant;"> < 0.5m torr

portant;"> 长度

portant;"> 30 cm

portant;"> 直径

portant;"> 41 cm

portant;"> 中和器

portant;"> lfn 2000



hakuto 离子蚀刻机 20ibe-c 的样品台可以 0-90 度旋转, 实现样品均匀地接受离子的轰击, 进而实现提高样品的加工.



hakuto 离子蚀刻机 20ibe-c 配套的是伯东 pfeiffer 涡轮分子泵 hipace 700.



通过采用伯东 hakuto 离子蚀刻机 20ibe-c 刻蚀后, 单点金刚石车削后的表面由初始的6.54nm rms, 经过 1.76nm rms 的平坦化层, 终刻蚀转移到 kdp 晶体表面得到 1.84nm rms 的光滑表面.



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上海伯东 : 罗先生 台湾伯东 : 王女士
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