考夫曼射频离子源RFICP220溅射沉积 ZNNI 合金薄膜

沈阳某大学课题组采用伯东 kri 考夫曼射频离子源 rfcip220 射频磁控溅射沉积方法制备了不同成分的 znni 合金薄膜, 并研究了真空热处理对其成分及表面形貌的影响.


采用 kri 考夫曼射频离子源 rfcip220 磁控溅射沉积的 znni 合金薄膜, 使合金成分均匀, 使薄膜致密, 并且附着性好.



伯东 kri 射频离子源 rficp220 技术参数:

portant;"> 离子源型号

portant;"> rficp220

portant;"> discharge

portant;"> rficp 射频

portant;"> 离子束流

portant;"> >800 ma

portant;"> 离子动能

portant;"> 100-1200 v

portant;"> 栅极直径

portant;"> 20 cm φ

portant;"> 离子束

portant;"> ---, 平行, 散射

portant;"> 流量

portant;"> 10-40 sccm

portant;"> 通气

portant;"> ar, kr, xe, o2, n2, h2, 其他

portant;"> 典型压力

portant;"> < 0.5m torr

portant;"> 长度

portant;"> 30 cm

portant;"> 直径

portant;"> 41 cm

portant;"> 中和器

portant;"> lfn 2000

* 可选: 灯丝中和器; 可变长度的增量

kri 射频离子源 rficp 220

实验室材料:

实验采用 --- x 3mm 的高纯度锌靶 (含量wt%>99.99) 和纯镍片 (含量wt%>99.95) 组成的镶嵌靶. 调整镶嵌靶 zn 与 ni 的面积比, 以获得不同成分的 znni 合金膜. 溅射基底采用石英玻璃片.



研究结果表明：

在单靶溅射沉积znni合金薄膜中, 通过调节靶材锌镍面积比可以获得不同成分且分布均匀的znni薄膜. 经过600℃、60 min、真空度为4×10-3pa, 真空热处理之后的薄膜中的锌完全蒸发, 剩下的镍薄膜呈多孔结构, 微孔尺寸在100 nm至500 nm之间. 随着薄膜锌含量的增加, 真空热处理后薄膜表面孔隙率增大. 随着真空热处理温度的升高, 微孔尺寸增大.



kri 离子源的-功能实现了---的性能, 增强的---性和新颖的材料工艺. kri 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 kri 离子源技术的情况下是无法实现的.



因此, 该研究项目才采用 kri 考夫曼射频离子源 rfcip220 辅助溅射沉积工艺.



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