光刻胶经过几十年不断的发展和进步，应用领域不断扩大，衍生出非常多的种类，按照应用领域，光刻胶可以划分为印刷电路板(pcb)用光刻胶、液晶显示(lcd)用光刻胶、半导体用光刻胶和其他用途光刻胶。其中，nr9 3000p光刻胶厂家，pcb 光刻胶技术壁垒相对其他两类较低，而半导体光刻胶代表着光刻胶技术水平。
(1)半导体用光刻胶
在半导体用光刻胶领域，光刻技术经历了紫外全谱(300～450nm)、g 线(436nm)、i 线 (365nm)、深紫外(duv，包括 248nm 和 193nm)和极紫外(euv)六个阶段。相对应于各-波长的光刻胶也应运而生，光刻胶中的关键配方成份，如成膜树脂、光引发剂、添加剂也随之发生变化，nr9 3000p光刻胶，使光刻胶的综合性能-地满足工艺要求。
(2)lcd光刻胶
在lcd 面板制造领域，光刻胶也是极其关键的材料。根据使用对象的不同，可分为 rgb 胶(彩色胶)、bm胶(黑色胶)、oc 胶、ps 胶、tft 胶等。
光刻工艺包含表面准备、涂覆光刻胶、前烘、对准-、显影、坚膜、显影检查、刻蚀、剥离、终检查等步骤，以实现图形的转移，制造特定的微结构。
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1、准备基质：在涂布光阻剂之前，硅片一般要进行处理，需要经过脱水烘培蒸发掉硅片表面的水分，并涂上用来增加光刻胶与硅片表面附着能力的化合物以及硅二-。
2、涂布光阻剂photo resist：将硅片放在一个平整的金属托盘上，托盘内有小孔与真空管相连，硅片就被吸在托盘上，这样硅片就可以与托盘一起旋转。
3、软烘干：也称前烘。在液态的光刻胶中，溶剂成分占65％－85％，甩胶之后虽然液态的光刻胶已经成为固态的薄膜，但仍有10％－30％的溶剂，容易玷污灰尘。通过在较高温度下进行烘培，可以使溶剂从光刻胶中挥发出来，nr9 3000p光刻胶，从而降低了灰尘的玷污。
4、-：-过程中，光刻胶中的感光剂发生光化学反应，从而使正胶的感光区、负胶的非感光区能够溶解于显影液中。正性光刻胶中的感光剂dq发生光化学反应，变为-，进一步水解为茚并羧酸，羧酸对碱性溶剂的溶解度比未感光的感光剂高出约100倍，同时还会促进酚醛树脂的溶解。于是利用感光与未感光的光刻胶对碱性溶剂的不同溶解度，就可以进行掩膜图形的转移。
5、显影development ：经显影，正胶的感光区、负胶的非感光区溶解于显影液中，-后在光刻胶层中的潜在图形，显-便显现出来，在光刻胶上形成三位图形。为了提高分辨率，几乎每一种光刻胶都有专门的显影液，以-高的显影效果。
6、硬烘干：也称坚膜。显-，硅片还要经过一个高温处理过程，主要作用是除去光刻胶中剩余的溶剂，增强光刻胶对硅片表面的附着力，nr9 3000p光刻胶哪里有，同时提高光刻胶在刻蚀和离子注入过程中的抗蚀性和保护能力。
7、刻腐蚀或离子注入
8、去胶：刻蚀或离子注入之后，已经不再需要光刻胶作保护层，可以将其除去，称为去胶，分为湿法去胶和干法去胶，其中湿法去胶又分去胶和无机溶剂去胶。
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分辨率
分辨率英文名：resolution。区别硅片表-邻图形特征的能力，一般用关键尺寸cd，critical dimension来衡量分辨率。形成的关键尺寸越小，光刻胶的分辨率越好。
对比度
对比度contrast指光刻胶从-区到非-区过渡的陡度。对比度越好，形成图形的侧壁越陡峭，分辨率越好。
敏感度
敏感度sensitivity光刻胶上产生一个-的图形所需一定波长光的能量值或-量。单位：毫焦/平方厘米或mj/cm2。光刻胶的敏感性对于波长更短的深紫外光duv、极深紫外光euv等尤为重要。
粘滞性黏度
粘滞性/黏度viscosity是衡量光刻胶流动特性的参数。粘滞性随着光刻胶中的溶剂的减少而增加；高的粘滞性会产生厚的光刻胶；越小的粘滞性，就有越均匀的光刻胶厚度。光刻胶的比重sg，specific gravity是衡量光刻胶的密度的指标。它与光刻胶中的固体含量有关。较大的比重意味着光刻胶中含有更多的固体，粘滞性更高、流动性更差。粘度的单位：泊poise，光刻胶一般用厘泊cps，厘泊为1%泊来度量。百分泊即厘泊为粘滞率；运动粘滞率定义为：运动粘滞率=粘滞率/比重。 单位：百分斯托克斯cs=cps/sg。
粘附性
粘附性adherence表征光刻胶粘着于衬底的强度。光刻胶的粘附性不足会导致硅片表面的图形变形。光刻胶的粘附性必须经受住后续工艺刻蚀、离子注入等。
抗蚀性
抗蚀性anti-etching光刻胶必须保持它的粘附性，在后续的刻蚀工序中保护衬底表面。耐热稳定性、抗刻蚀能力和抗离子轰击能力。
表面张力
液体-表面分子拉向液体主体内的分子间吸引力。光刻胶应该具有比较小的表面张力surface tension，使光刻胶具有-的流动性和覆盖。
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