为了避免光刻胶线条的倒塌，线宽越小的光刻工艺，就要求光刻胶的厚度越薄。在20nm技术节点，光刻胶的厚度已经减少到了100nm左右。但是薄光刻胶不能有效的阻挡等离子体对衬底的刻蚀 [2] 。为此，研发了含si的光刻胶，这种含si光刻胶被旋涂在一层较厚的聚合物材料常被称作underlayer，其对光是不敏感的。-显-，利用氧等离子体刻蚀，把光刻胶上的图形转移到underlayer上，在氧等离子体刻蚀条件下，nr21 20000p光刻胶，含si的光刻胶刻蚀速率远小于underlayer，具有较高的刻蚀选择性 [2] 。含有si的光刻胶是使用分子结构中有si的有机材料合成的，例如硅氧烷，含si的树脂等
光刻胶市场需求逐年增加，2018年半导体光刻胶销售额12.97亿美元，而国内光刻胶需求量方面，2011年光刻胶需求量为3.51万吨，到2017年需求量为7.99万吨，nr21 20000p光刻胶公司，年复合增长率达14.69%。
国内光刻胶需求量远大于本土产量，且差额逐年扩大。由于中国-光刻胶市场起步晚，目前技术水平相对落后，生产产能主要集中在pcb光刻胶、tn/stn-lcd光刻胶等中低端产品，tft-lcd、半导体光刻胶等高技术壁垒产品产能很少。
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(1)合成醛树脂。将原料混和甲醛送人不锈钢釜，加入适量草酸为催化剂，nr21 20000p光刻胶多少钱，加热回流反应5～6h，然后减压蒸馏去除水及未反应的单体酚，得到醛树脂。(2)合成感光剂。在装有搅拌器的夹套反应罐中，nr21 20000p光刻胶，先将三-二-甲酮和215酰氯加至中搅拌下溶解，待完全溶解后，滴加有机碱溶液做催化剂，控制反应温度30~35℃，滴加完毕后，继续反应1h。将反应液冲至水中，感光剂析出，离心分离，干燥。(3)配胶。将合成的树脂、感光剂与溶剂及添加剂按一定比例混合配胶，然后调整胶的各项指标使之达到要求。后过滤分装，光刻胶首先经过板框式过滤器粗滤，然后转入超净间(100级)进行超净过滤，滤膜孔径0.2mm，经超净过滤的胶液分装即为成品。
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