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由于等离子刻蚀工艺中的过程变量,如刻蚀率、气压、温度、等离子阻抗,等等,气相化学沉积设备,不易测量,因此业界常用的测量方法有:
虚拟测量virtual metrology
等离子刻蚀过程控制示意图
光谱测量
等离子阻抗监控
终端探测
远程耦合传感
控制方法
run-to-run 控制r2r
模型预测控制mpc
人工神经网络控制
化学气相沉积技术生产多晶/非晶材料膜:
化学气相沉积法在半导体工业中有着比较广泛的应用。比如作为缘介质隔离层的多晶硅沉积层。在当代,微型电子学元器件中越来越多的使用新型非晶态材料,这种材料包括磷硅玻璃、硼硅玻璃、sio2以及 si3n4等等。此外,气相化学沉积设备报价,也有一些在未来有可能发展成开关以及存储记忆材料,例如氧化铜-氧化铜等都可以使用化学气相沉积法进行生产。
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1、适用范围:适合于各单位实验室、---院校实验室、教学等的项目科研、产品中试之用。
2、产品优点及特点:应用于半导体薄膜、硬质涂层等薄膜制备,兼等离子体清洗、等离子体刻蚀。
3、主要用途:主要用来制作sio2、si3n4、非晶si:h、多晶si、sic、w、ti-si、gaas、gasb等介电、半导体及金属膜。
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