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主要用途：
用于纳米级单层及多层功能膜、硬质膜、金属膜、半导体膜、介质膜等新型薄膜材料的制备。广泛应用于大专院校、科研院所的薄膜材料科研与小批量制备。
系统组成:
主要由真空室系统溅射室、靶及电源系统、样品台系统、真空抽气及测量系统、气路系统、控制系统、电控系统、计算机控制系统及辅助系统等组成。
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设备简介
主要特点是设备体积小，结构简单紧凑易于操作，对实验室供电要求低；该系列设备主要部件采用进口或者国内优的配置，从而提高设备的稳定性；另外自主开发的智能操作系统在设备的运行重复性及安全性方面得到---地保障。 目前该系列有基本型、---型、---型、尊享型4种不同配置可供选择，可以根据客户的不同需求进行配置，比较灵活；标配4只φ2英寸永磁靶，4台500w直流溅射电源，主要用来开发纳米级单层及多层的金属导电膜、半导体膜以及绝缘膜等。
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由于被溅射原子是与具有数十电子伏特能量的正离子交换动能后飞溅出来的，因而溅射出来的原子能量高，有利于提高沉积时原子的扩散能力，提高沉积组织的致密程度，使制出的薄膜与基片具有强的附着力。
溅射时，磁控溅射镀膜设备，气体被电离之后，气体离子在电场作用下飞向接阴极的靶材，电子则飞向接地的壁腔和基片。这样在低电压和低气压下，产生的离子数目少，靶材溅射效率低；而在高电压和高气压下，尽管可以产生较多的离子，但飞向基片的电子携带的能量高，容易使基片-甚至发生二次溅射，影响制膜。另外，靶材原子在飞向基片的过程中与气体分子的碰撞几率也大为增加，磁控溅射镀膜设备报价，因而被散射到整个腔体，既会造成靶材浪费，又会在制备多层膜时造成各层的污染。
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