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---真空度：≤6.7×10 pa
恢复真空时间：从1×10 pa抽至5×10 pa≤20min
系统漏率：6. 7×10-7pa.l/s；
真空室：ф450球型真空室 ，
基片尺寸：可放置4″可实现公转换靶位描等基片加热可连续回转，转速5-60转/分基片与蒸发源之间距离300-350mm可调。
二维扫描机械平台，执行两自由度扫描，控制的内容主要有公转换靶、靶自转、样品自转、样品控温、激光束扫，
流量控制器1路
烘烤温度：150℃数显自动热偶控温高温炉盘，脉冲激光沉积设备公司，数显自动热偶控温可加热到800℃
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脉冲激光沉积系统配置：
生长室，进样室可选水平、垂直两种靶台可选激光加热和辐射加热两种样品台可选，激光加热高的温度1200℃工艺气路可以任意搭配配备高压rheed，工作气压可达100pa可预留法兰，用于leed，脉冲激光沉积设备，k-cell， e-beam等其它可选项如臭氧发生器，离子源，掩膜系统等。
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是比较理想的薄膜与涂层合成设备。可制备的薄膜包括氮化物、氧化物、多层膜、钻石、石墨烯、碳纳米管、2d材料。blue wave还提供相关系统配件，例如基片加热装置、原位监测工具。此外，bluewave还为您提供标准的薄膜以及材料涂层，例如氧化物涂层、导电薄膜、无定型或纳米晶si/sic、晶体aln-gan、聚合物、纳米钻石、hfcvd钻石涂层以及器件加工。
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